Mémoire RAM PNY MD4GSD42666 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19

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Technologie: DDR4 Tension: 1.2 V 1,2 V Type: Mémoire (RAM) Latence: CL19 Connexions: DIMM Mémoire RAM: 4 GB RAM vitesse: 2666 MHz Capacité: 40 g 4 GB Type de mémoire: DDR4 Compatible: PC/Server PNY Performance.
composant pour: PC/serveur, Mémoire interne: 4 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Latence CAS: 19 Mémoire interne: 4 Go Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go Type de mémoire interne: DDR4 Fréquence de la mémoire: 2666 MHz composant pour: PC/serveur Latence CAS: 19 Canaux de mémoire: Single-channel Mémoire de tension: 1.2 V Type d’emballage: Ampoule